至半导体材料瓶颈可望突破

半导体材料瓶颈可望突破

半导体材料瓶颈可望突破!台湾科技部昨日宣布，台湾、日本、沙乌地阿拉伯等跨国团队，已研究出单层2硫化钼P-N接面，可望取代矽晶片成为新世代半导体核心元件，广泛利用在穿着式装置及手机中。

这是第1个发表新世代半导体材料基础研究成果，不但将刊登在新1期国际期刊《SCIENCE》中，交大研究团队流露，这项结果可望吸引台积电更积极合作研究，以早日抢占市场商机。

在科技部大力支持 尖端晶体材料开发及制作计画 科技预算下，半导体材料瓶颈有了重大突破。台湾再与拉力实验机度盘上与标准拉力试样相同的力值点进行对照研究材料实验机融当代先进技术于1体团队计画主持人交大电子物理系教授张文豪指出，英特尔及3星均积极投入单层元件材料研究，台积电也积极与学界接洽合作，未来谁能抢先开发单层元件材料，就可以在市场占有1席之地。

张文豪说，单层2硫化钼是科学家认为新世代半导体很有潜在计算机上按键开始实验力的材料，这次研究团队发展出单层2硫化钼及单层2硒化钨的P-N接面，可望解决半导体元件制备关键问题。

其性能特点主要体现在以下：

张文豪说，未来可广泛利用于极度微小化的电子元件，特别单层2硫化钼具有极轻浮透明特性，有潜力利用在未来低耗能软性电子与穿着式电子元件，或手机利用中。

张文豪说，台籍科学家李连忠过去为中研院研究员，被沙国国王科技大学延揽成为沙国科学家，他筹组台湾、沙国、日本等跨国合作团队进行大型合作计画。台湾研究团队除张文豪外，还有交大材料系教授韦光华、中研院应科中心研究员朱治伟等人。

科技部指出，2硫化钼是继石墨烯后，备受国际科学家关注层状材料，单层2硫化钼具有良好发光效力，电子迁移率与高开关比，可用于未来新型低耗能逻辑电路，极有可能取代目前矽晶做来世代主要核心元件。

科技部指出，国际半导体大厂如Intel、台积电及3星等，小元件技术约落在7～10奈米间，而这项研究成果为2硫化钼及相干无机2维材料电子学研究及利用，将有助2硫化钼等材料利用在2奈米半导体制程技术中。